大家好，我是海瑞航天的武鹏，欢迎大家来到海瑞课堂和我们一起学习MIL-PRF-38535这门课程。
要说筛选（Screening）这部分内容，在MIL-PRF-38535通篇中所占的位置非常之小。MIL-PRF-38535大体分为7个大章节（包含附录），而筛选是第四部分验证中的第二点，要说还真不是很突出。但是这一点却是非常重要的一个枢纽，从产品时间轴上来说，它是对产品实际应用前最终判定的重要依据；从经营主体上来看，他是承制方与用户之间的一个产品质量的维系纽带，确保产品质量的顺利交接；从体系标准来理解，它是MIL-PRF-38535与MIL-STD-883之间众多引用“桥梁”中最关键、信息量最大的一座。因此理解筛选，就可以更好的去理解MIL-PRF-38535中各方利益点的相关性和关注点。
要具体谈谈筛选这个的话题，需要同步三个关键信息：
· 质量等级。不同的质量等级筛选方案是不一样的，高可靠产品检测项目多，“Q级应该能覆盖B级，V级应该能覆盖S级的所有检测”，这部分读者可以参看之前章节的内容。
MIL-PRF-38535K中的质量等级
海瑞航天武鹏，公众号：海瑞航天【应知概念】MIL-PRF-38535K中的质量等级
· 故障的计算。测试时人员、机械所引起的元器件故障属于筛选失效，不应计入元器件的缺陷百分百（PDA）中，但ESD故障应除外。
· 静电敏感性（ESD sensitivity）应依照MIL-STD-883的TM3015进行检测，且结果应该记录在PDA中。这里需要说明一下，MIL-PRF-38535的筛选方法都是引用自MIL-STD-883中的方法，因此要想了解具体的试验步骤需要阅读MIL-STD-883中的相关内容。
筛选分为两大部分——环境测试和机械测试，这一期我们先介绍环境测试。 环境测试大体分为6个部分：温度、辐射、寿命、腐蚀、密封、电特性。以下我们仅对温度测试来谈谈它所的关注的重点以及与SPC、PM、工艺基线的对应关系。
温 度
温度是元器件环境可靠性中最重要的一个指标，针对单芯片集成电路来说，工作时的结温是重中之重，它会影响集成电路的寿命、工作状态（稳定性、放大倍数和失真等）、降额策略，电装工艺、以及在高低温环境下的非正常表现。
在MIL-STD-883中直接针对温度筛选的有4项检测：
o TM1008稳定性烘焙。一般方法是24小时150℃的烘烤后进行电测试，它关注的是不加电情况下外界温度对IC器件的影响；
o TM1010温度循环。一般方法是在不加电的情况下按照一定的正负温度、不断循环给器件施加外部温度应力（不同质量等级的要求不一致），它关注的是外壳封装的问题、例如外壳是否有裂纹（碎裂、龟裂）、外引线与外壳处的密封特性是否完好等；
o TM1011热冲击，一般试验方法是集成电路通过浸液，高温溶液不加电浸泡检测，通过15~20个循环对IC施加高温冲击，它关注的是在剧烈温度变化下，外壳是否开裂和外引线密封不良的问题。
o TM1012热特性。它是温度测试中唯一一个高温烘烤同时加电测试的项目。它主要考虑的是在高结温下对集成电路内部的影响（例如板层间热膨胀系数对电路参数的影响），主要关注点是结温、功耗、电流和电压温敏参数以及参数的漂移情况。
温度与工艺基线、SPC、PMs之间的关系
o 整体来说MIL-STD-883关于IC温度分为两大块内容：静态检测（只调整温度不加电）：TM1010、TM1011、TM1012；和动态检测（既调整温度同时又加电）TM1012；
o 静态测试主要关注的是集成电路的封装和测试段的情况，相对应的是工艺基线中关注的共融基座的材料、成分、黏性、保压烘焙时间等，密封和封装材料，密封方式和气压；间接检测了基座的内部引线键合和油墨的可靠性；与SPC和PMs中的基座（Mounting），涂胶工艺（包括返工程序），晶圆背面处理，以及封装管控的参数内容高度契合。
o 而动态测试主要关注的是晶圆制片时的相关内容和设计结果的验证，相对应的工艺基线是晶圆材料、电阻率范围，晶圆厚度，晶圆直径，绝缘，扩散，离子注入，架梁的方式，以及内部封装方式（玻璃钝化或环氧），与PM有关的有方块电阻、FAT-FET（场效应晶体管），欧姆接触电阻，热载流子退化，电迁移，TDDB，接触电阻和栅扩散等相关内容。与SPC有关的有掺杂源浓度，扩散剖面和外延层的杂质分布，钝化或玻璃钝化，金属化淀积，光刻和线宽大小，钝化工艺温度和时间，扩散，注入退火的温度和时间，烧结或退火温度和时间，氧化工艺，栅形成，空气桥工艺，通孔工艺；
通过以上分析，仅从温度方面考虑元器件筛选的可靠性
o 如果更加关注晶圆设计和制造方面的质量，更加关注功能性能、降额比例、严苛条件下的放大波形等可考虑通过动态检测进行验证；
o 如果更加关注晶圆封装和测试方面的质量，更加关注封装批次间的一致性可考虑使用静态检测。
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