大家好，我是海瑞航天的武鹏，欢迎大家来到海瑞课堂和我们一起学习MIL-PRF-38535这门课程。 

       在前几期美军标MIL-PRF-38535的课程里面有一个PM的概念被多次提及，在这一期我们着重解释一下，PM原文为Parametric monitor直译为参数监视器，也有的地方翻译为工艺监测图形。它的初衷是美军方要求承制方应该具有测量特定工艺的每一种晶圆类型的电特性的能力，因此PM就作为一种检测芯片电性能的过程或设备的总称。PM的测试结构可以采用划片槽插入式、芯片内部测试条、芯片插入式，或这几种形式的组合。设置PM的测试位置应能确保晶圆性能均匀一致，一般取5个点，1个在晶圆中心附近，另外4个在晶圆四个象限的”每一象限距离中心点的2/3半径处。

图1：典型的PM过程和设备

       一方面，PM应该像SPC一样长期进行，承制方应该通过文件程序化把需要检测的参数记录下来常规化，并相应增加拒收限值。另外也要把其与SPC所要监测的内容进行区分，一般来说只要判定是否合格的、不涉及参数控制调整的可以使用PM进行管理；需要参数调整和预判的过程一般使用SPC来进行管理。 

       下表统计了PM和SPC在管理芯片制程中的覆盖范围，大家可以先自行体会一下。

        可以看出PM的管控内容仅是SPC很小的一部分，但是对于其管控的深度是比SPC要大的多的。SPC针对的是生产周期内可以统计的计数型和计量型数据。而PM级别可以甄别的是计数型的类型，类似生产线用的电测、终检、AOI的测试设备等，符合规格通过，不符合报错停止。而这些参数会关系到制程产品是否能体现设计要求的实现。 

       最后用一张图和一个表来展示工艺基线、TCV、SEC、PM、SPC之间的关系：

图2：TCV、SEC、PM、SPC在项目中的进程

表1：TCV、SEC、PM、SPC在项目中的进程

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